主なスパッタリングターゲット

貴金属 ターゲット　Precious Metal Target

Au ターゲット

半導体、MEMS用途で主に使われ、Fine grade の細かい粒径が特徴です。

Ru ターゲット

4N
密度 : 99.5%

NiPt ターゲット

100μ以下の粒子でターゲット全面で粒径が均一である事が特徴です。

Ag ターゲット

リフレクティブレイヤー
詳細については別途お問い合わせ下さい。

Pt ターゲット

4N
キャスティング
等軸構造
密度 : 100%

卑金属ターゲット　Non-Precious Metal target

AlSc (High Scandium) ターゲット

低濃度Scから高濃度Scまで用途に応じた幅広い組成比をご提供できます。

Ni アノード

電解メッキ用アノードです。

Cu アノード

電解メッキ用アノードです。

TiW ターゲット

UBM等で活用されています

Si ターゲット

高周波フィルターで利用されるシリコンターゲットを様々な形状でご提供します。

Ti ターゲット

E-beam 熔解のインゴットから製造、100μ以下の粒径が特徴です。

ZnAl 円筒ターゲット

シードレイヤー
詳細については別途お問い合わせ下さい。

TiOx 円筒ターゲット

ベースレイヤー
詳細については別途お問い合わせ下さい。

SiAl 円筒ターゲット

トップレイヤー
詳細については別途お問い合わせ下さい。

W ターゲット

パーティクル発生の少ない微細で均一な粒径が特徴です。

スパッタ装置メーカーとの連携

Materion はスパッタ装置メーカーと緊密な関係の中でいただいたアドバイスをお客様の声と共に反映し、より良い製品の開発に努めています。

• Tokyo Electron
• ASM NEXX, Inc.
• Applied Materials
• Novellus
• SPTS
• Singulus
• KDF
• Evatec
• Canon ANELVA
• ULVAC
• その他、日本国内スパッタ装置メーカー各社