SAW FILTERSAWフィルター

Si ターゲット 6N

Siターゲット 6N

スマホ・タブレット用に大量に使用されている SAW フィルター に使われているアルミニウム及び同合金の櫛形フィルターを腐食から守る保護膜として SiN 膜が必要であり、Materion は多様なスパッタ装置用に様々な形状の Si スパッタリングターゲットを製品化しています。

Si の基本仕様

純度 6N
結晶成長法 CZ法
結晶配向 100
密度 2.33 g/cm3
タイプ n型
ドープ リン
抵抗値 < 5Ω x cm

Si ターゲットのご要望があれば、是非、ご相談ください。

MEMSMEMS

  • PZTターゲット

    PZT(PbZr11-yTiyO3)ターゲット 3N5

    PZT は センサー、FeRAM等各種 MEMS用の圧電材料として利用されており、Materion はターゲットとしてご提供しています。

  • AlSc20ターゲット

    AISc20ターゲット

    AlSc ターゲットは欧米のBAW フィルターメーカーでは主流となっており、誘電体としての圧電特性向上の為に Sc の量を増やしたタイプも順次開発中ですのでご相談ください。

  • 圧電用ターゲットのご要望があれば、是非、ご相談ください。

NEXT-GENERATION MEMORY次世代メモリー

STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetic RAM)

STT-MRAM

薄膜ヘッド向けターゲットで培ったノウハウを元にSTT-MRAM用の全てのレイヤーのターゲットをご提供できます。

STT-RAM用途向け高純度薄膜材料

  • 合金開発での豊富な経験とアドバイス
  • 高品質材料製造の為の不純物制御
  • STT-RAMスパッタ装置各社向け

特徴

  • 長寿命磁性体ターゲット
  • 貴金属はTCOの向上をご提案
  • 低酸素 CoFeB, FeCoB
  • 高純度 MgO

主要なレイヤーのターゲットの例

MATERIAL INFORMATION
CoFeB
  • CoFeB, FeCoB共に大きなBoron量に対応
  • 4N
  • 密度:100%
  • PTF(透磁化率)が高く厚いターゲットが可能
Ru(ルテニウム)
  • 4N
  • 密度:99.5%
Pt(プラチナ)
  • 4N
  • キャスティング
  • 等軸構造
  • 密度:100%
MgO
  • 4N密度
  • 2N7
  • 表面は白色
Mg(Magnesium)
  • 4NN5

EMI SHIELDEMI シールディング

EMIシールディング材料

  • Cu
  • SUS
  • Ti
  • Ni
  • Ni合金
  • Al
Shielding Layer

スマホ内部の SoC、メモリーから受信回路へのノイズを極力減らす事、もしくは受信回路側でノイズを防ぐ事は重要です。 この為、各々のパッケージに金属をスパッタリングして EMI シールドを行いますが、Cu をシールド層として上下に金属の保護膜層・接着層をつけるのが一般的です。 これ以外に対象の周波数帯域に応じてシールド層を変更します。Materion はこの分野で豊富な実績を持っていますのでご相談ください。

LARGE AREA COATINGLow-eガラス・タッチパネル

応用分野

Cylinder Target

Low-eガラス、ディプレイ用タッチパネル等の分野で各種の円筒形スパッタリングターゲット及びプレナースパッタリングターゲットをご提供しています。

生産品目はこちら

Low-E ガラス用ターゲット

 

Ag および Ag合金 円筒形スパッタリングターゲット

近年、温暖化に伴い遮熱用途の需要が増えている Low-e ガラスにおいては反射率が大きく低放射の Ag の円筒形ターゲットが使われています。Materionは、通常の Ag に加え、耐腐食性を重視するご用途用にAg合金 CORA を開発しており、円筒形、プレナーいずれのタイプでも提供できます。

保護膜用 金属・金属酸化物 円筒形スパッタリングターゲット

Ag 膜の保護膜として SiAl, ZnAl, Sn, TiOx 等の円筒形スパッタリングターゲットをご提供しています。材料に応じてキャスティングもしくは溶射でスパッタリングターゲットの製造を行います。

特殊用途

セラミックスを何らかの理由で通常より数倍早いスパッタリングレートで成膜する必要がある場合は、それに応じた合金を開発していますのでご相談ください。

LIGHT EMITTING DIODELED

応用分野

LED
Blu-S ™ and Blu-X(銀合金) ターゲット
AuSn(金・錫合金) ターゲット、蒸着材
AuGe(金・ゲルマニウム合金) ターゲット、蒸着材
高純度 金、銀、プラチナ、バナジウム ターゲット、蒸着材
チタン、アルミ ターゲット、蒸着材
ニッケルバナジウム ターゲット
チタンタングステン ターゲット
ドープシリコン、浮遊体シリコン ターゲット

ADVANCED MATERIALS先端材料

LIB材料

全固体リチウムイオン二次電池

バルク素材

LGPS他、電解質材料

薄膜電池用スパッタリングターゲット

Li3PO4, LLZO, LLAZO 他、電解質用スパッタリングターゲット

LIB材料は、薄膜電池用スパッタリングターゲット、バルク素材とも個別の開発商品となりますので、別途、ご相談ください。

Thermo Electronic 熱電材料

Thermo Electronic
Material Set Suggested Composition
Bi Chalcogenides Bi2T23, Bi2Se3
Mg Group IV compounds CrSi2, MnSi1.7-1.75, etc
Skutterudite Sulfides, arsenides
Oxide SrTiO3

用途に応じて利用温度範囲に応じた素材をご提案します。開発商品ですので、別途、ご相談ください。

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